Den 26:e tillkännagav Power Cube Semi den framgångsrika utvecklingen av Sydkoreas första 2300V SiC (Silicon Carbide) MOSFET-halvledare.
Jämfört med befintliga Si (Silicon)-baserade halvledare, kan SiC (Silicon Carbide) motstå högre spänningar, och hyllas därför som nästa generations enhet som leder framtidens krafthalvledare.Det fungerar som en avgörande komponent som krävs för att introducera banbrytande teknologier, såsom spridningen av elfordon och utbyggnaden av datacenter som drivs av artificiell intelligens.
Power Cube Semi är ett fabulerande företag som utvecklar krafthalvledarenheter i tre huvudkategorier: SiC (kiselkarbid), Si (kisel) och Ga2O3 (galliumoxid).Nyligen använde och sålde företaget Schottky Barrier Diodes (SBD) med hög kapacitet till ett globalt elfordonsföretag i Kina, och fick erkännande för sin halvledardesign och -teknologi.
Utgivningen av 2300V SiC MOSFET är anmärkningsvärt som det första utvecklingsfallet i Sydkorea.Infineon, ett globalt krafthalvledarföretag baserat i Tyskland, tillkännagav också lanseringen av sin 2000V-produkt i mars, men utan en 2300V-produktlinje.
Infineons 2000V CoolSiC MOSFET, som använder TO-247PLUS-4-HCC-paketet, möter kraven på ökad effekttäthet bland designers, vilket säkerställer systemets tillförlitlighet även under stränga högspännings- och switchfrekvensförhållanden.
CoolSiC MOSFET erbjuder en högre likströmslänkspänning, vilket möjliggör effektökning utan att öka strömmen.Det är den första diskreta enheten av kiselkarbid på marknaden med en genomslagsspänning på 2000V, som använder TO-247PLUS-4-HCC-paketet med ett krypavstånd på 14 mm och ett spelrum på 5,4 mm.Dessa enheter har låga kopplingsförluster och är lämpliga för applikationer som växelriktare för solenergi, energilagringssystem och laddning av elfordon.
CoolSiC MOSFET 2000V produktserien är lämplig för högspännings DC-bussystem upp till 1500V DC.Jämfört med 1700V SiC MOSFET ger denna enhet tillräcklig överspänningsmarginal för 1500V DC-system.CoolSiC MOSFET erbjuder en 4,5V tröskelspänning och är utrustad med robusta kroppsdioder för hård kommutering.Med .XT-anslutningsteknik erbjuder dessa komponenter utmärkt termisk prestanda och stark fuktbeständighet.
Utöver 2000V CoolSiC MOSFET kommer Infineon snart att lansera kompletterande CoolSiC-dioder förpackade i TO-247PLUS 4-pin och TO-247-2 paket under tredje kvartalet 2024 respektive sista kvartalet 2024.Dessa dioder är särskilt lämpliga för solenergiapplikationer.Matchande produktkombinationer för grinddrivare finns också tillgängliga.
CoolSiC MOSFET 2000V produktserien är nu tillgänglig på marknaden.Dessutom erbjuder Infineon lämpliga utvärderingstavlor: EVAL-COOLSIC-2KVHCC.Utvecklare kan använda det här kortet som en exakt allmän testplattform för att utvärdera alla CoolSiC MOSFETs och dioder klassade till 2000V, såväl som EiceDRIVER kompakta enkanaliga isolation gate-drivrutin 1ED31xx produktserie genom dubbelpuls eller kontinuerlig PWM-drift.
Gung Shin-soo, Chief Technology Officer för Power Cube Semi, sa: "Vi kunde utöka vår befintliga erfarenhet av utveckling och massproduktion av 1700V SiC MOSFETs till 2300V.
Posttid: 2024-08-08