6 tums HPSI SiC substratwafer Kiselkarbid Halvförolämpande SiC wafers

De nuvarande tillväxtmetoderna för SiC-enkristall inkluderar huvudsakligen följande tre: vätskefasmetoden, kemisk ångavsättningsmetod vid hög temperatur och PVT-metoden (fysisk ångfastransport).Bland dem är PVT-metoden den mest undersökta och mogna teknologin för tillväxt av SiC-enkristaller, och dess tekniska svårigheter är:

(1) SiC enkristall i den höga temperaturen på 2300 ° C ovanför den slutna grafitkammaren för att slutföra omkristallisationsprocessen "fast - gas - fast" omvandlingsprocessen, tillväxtcykeln är lång, svår att kontrollera och benägen för mikrotubuli, inneslutningar och andra defekter.

(2) Enkristall av kiselkarbid, inklusive mer än 200 olika kristalltyper, men produktionen av generellt endast en kristalltyp, lätt att producera transformation av kristalltyp i tillväxtprocessen, vilket resulterar i multi-typ inneslutningsdefekter, beredningsprocessen för en enda specifik kristall typ är svårt att kontrollera stabiliteten i processen, till exempel den nuvarande mainstream av 4H-typ.

(3) Kiselkarbid enkristalltillväxt termiskt fält det finns en temperaturgradient, vilket resulterar i kristalltillväxtprocessen finns det en naturlig inre stress och de resulterande dislokationer, fel och andra defekter inducerade.

(4) En kristalltillväxtprocess av kiselkarbid måste strikt kontrollera införandet av externa föroreningar för att erhålla en halvisolerande kristall med mycket hög renhet eller riktad dopad ledande kristall.För de halvisolerande kiselkarbidsubstrat som används i RF-enheter måste de elektriska egenskaperna uppnås genom att kontrollera den mycket låga föroreningskoncentrationen och specifika typer av punktdefekter i kristallen.