4H-N 4 tum SiC substratwafer kiselkarbid Produktionsdocka Forskningskvalitet
Ansökningar
4-tums kiselkarbid enkristallsubstratskivor spelar en viktig roll inom många områden.För det första används det i stor utsträckning inom halvledarindustrin vid framställning av högeffekts elektroniska enheter som effekttransistorer, integrerade kretsar och effektmoduler.Dess höga värmeledningsförmåga och höga temperaturbeständighet gör att den kan avleda värme bättre och ge högre arbetseffektivitet och tillförlitlighet.För det andra används kiselkarbidskivor även inom forskningsområdet för att bedriva forskning om nya material och anordningar.Dessutom används kiselkarbidskivor också i stor utsträckning inom optoelektronik, såsom tillverkning av lysdioder och laserdioder.
Specifikationerna för 4 tum SiC wafer
4-tums kiselkarbid enkristallsubstrat wafer diameter på 4 tum (ca 101,6 mm), ytfinish upp till Ra < 0,5 nm, tjocklek 600±25 μm.Konduktiviteten hos skivan är av N-typ eller P-typ och kan anpassas efter kundens behov.Dessutom har chippet också utmärkt mekanisk stabilitet, tål en viss mängd tryck och vibrationer.
tums kiselkarbid enkristallsubstratskiva är ett högpresterande material som ofta används inom halvledare, forskning och optoelektronik.Den har utmärkt värmeledningsförmåga, mekanisk stabilitet och hög temperaturbeständighet, vilket är lämpligt för framställning av elektroniska enheter med hög effekt och forskning av nya material.Vi erbjuder en mängd olika specifikationer och anpassningsalternativ för att möta en mängd olika kundbehov.Var uppmärksam på vår oberoende sida för att lära dig mer om produktinformationen för kiselkarbidskivor.
Nyckelarbeten: Kiselkarbidskivor, enkristallsubstratskivor av kiselkarbid, 4 tum, värmeledningsförmåga, mekanisk stabilitet, högtemperaturmotstånd, krafttransistorer, integrerade kretsar, kraftmoduler, lysdioder, laserdioder, ytfinish, konduktivitet, anpassade alternativ
Detaljerat diagram
