4 tums SiC Wafers 6H Halvisolerande SiC-substrat primer, forskning och dummy kvalitet

4 tums SiC-skivor 6H Halvisolerande SiC-substrat primer, forskning och dummy-kvalitet Utvald bild

Kort beskrivning:

Halvisolerat kiselkarbidsubstrat bildas genom skärning, slipning, polering, rengöring och annan bearbetningsteknik efter tillväxten av halvisolerad kiselkarbidkristall.Ett lager eller flerlagers kristalllager odlas på substratet som uppfyller kvalitetskraven som epitaxi, och sedan tillverkas mikrovågs RF-enheten genom att kombinera kretsdesign och förpackning.Tillgänglig som 2 tum 3 tum 4 tum 6 tum 8 tum industriell, forsknings- och testkvalitet halvisolerade enkristallsubstrat av kiselkarbid.

Skicka e-post till oss

Produktdetalj

Produkttaggar

Produktspecifikation

Kvalitet			Noll MPD Production Grade (Z Grade)			Standardproduktionsgrad (P-klass)		Dummy-betyg (D-betyg)
Diameter			99,5 mm~100,0 mm
	4H-SI		500 μm±20 μm			500 μm±25 μm
Wafer orientering			Av axel: 4,0° mot< 1120 > ±0,5° för 4H-N, På axel: <0001>±0,5° för 4H-SI
	4H-SI		≤1 cm^-2			≤5 cm^-2		≤15 cm^-2
	4H-SI		≥1E9 Ω·cm					≥1E5 Ω·cm
Primär platt orientering		{10-10} ±5,0°
Primär platt längd		32,5 mm±2,0 mm
Sekundär platt längd		18,0 mm±2,0 mm
Sekundär platt orientering		Silikon framsidan uppåt: 90° CW.från Prime flat ±5,0°
Kantexkludering		3 mm
LTV/TTV/Bow/Warp		≤3 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm						≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm
Grovhet			C ansikte				putsa		Ra≤1 nm
			Si ansikte	CMP	Ra≤0,2 nm					Ra≤0,5 nm
Kantsprickor av högintensivt ljus		Ingen						Kumulativ längd ≤ 10 mm, enkel längd≤2 mm
Hexplattor av högintensivt ljus		Kumulativ yta ≤0,05 %						Kumulativ yta ≤0,1 %
Polytypytor av högintensivt ljus		Ingen						Kumulativ yta≤3 %
Visuella kolinneslutningar		Kumulativ yta ≤0,05 %						Kumulativ yta ≤3 %
Silikonyta repor av högintensivt ljus		Ingen						Kumulativ längd≤1＊waferdiameter
Edge Chips High By Intensity Light		Inget tillåtet ≥0,2 mm bredd och djup						5 tillåtna, ≤1 mm vardera
Silikon Ytförorening med hög intensitet		Ingen
Förpackning		Kassett med flera wafer eller enkel wafer-behållare