3-tums 76,2 mm 4H-Semi SiC-substratskiva Kiselkarbid Semi-inolerande SiC-skivor

3-tums 76,2 mm 4H-Semi SiC-substratskiva Kiselkarbid Semi-insolerande SiC-skivor Utvald bild

Kort beskrivning:

Högkvalitativa enkristalliga SiC-skivor (kiselkarbid) för elektronik- och optoelektronikindustrin. 3-tums SiC-skivor är nästa generations halvledarmaterial, halvisolerande kiselkarbidskivor med 3-tums diameter. Skivorna är avsedda för tillverkning av kraft-, RF- och optoelektroniska komponenter.

Skicka e-post till oss

Produktinformation

Produktetiketter

Produktspecifikation

3-tums 4H halvisolerade SiC (kiselkarbid) substratskivor är ett vanligt förekommande halvledarmaterial. 4H indikerar en tetrahexaedrisk kristallstruktur. Halvisolering innebär att substratet har höga resistansegenskaper och kan isoleras något från strömflödet.

Sådana substratskivor har följande egenskaper: hög värmeledningsförmåga, låg ledningsförlust, utmärkt högtemperaturbeständighet och utmärkt mekanisk och kemisk stabilitet. Eftersom kiselkarbid har ett brett energigap och kan motstå höga temperaturer och starka elektriska fältförhållanden, används 4H-SiC halvisolerade skivor i stor utsträckning inom kraftelektronik och radiofrekvensenheter (RF).

De huvudsakliga tillämpningarna för 4H-SiC halvisolerade wafers inkluderar:

1--Kraftelektronik: 4H-SiC-skivor kan användas för att tillverka effektbrytare som MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors), IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistors) och Schottky-dioder. Dessa enheter har lägre lednings- och brytförluster i högspännings- och högtemperaturmiljöer och erbjuder högre effektivitet och tillförlitlighet.

2--Radiofrekvenskomponenter (RF): Halvisolerade 4H-SiC-skivor kan användas för att tillverka högfrekventa RF-effektförstärkare, chipmotstånd, filter och andra komponenter med hög effekt och hög frekvens. Kiselkarbid har bättre högfrekvensprestanda och termisk stabilitet tack vare sin större elektronmättnadsdrift och högre värmeledningsförmåga.

3 - Optoelektroniska enheter: 4H-SiC halvisolerade wafers kan användas för att tillverka högeffektslaserdioder, UV-ljusdetektorer och optoelektroniska integrerade kretsar.

När det gäller marknadsriktning ökar efterfrågan på 4H-SiC halvisolerade wafers i takt med de växande områdena kraftelektronik, RF och optoelektronik. Detta beror på att kiselkarbid har ett brett användningsområde, inklusive energieffektivitet, elfordon, förnybar energi och kommunikation. I framtiden är marknaden för 4H-SiC halvisolerade wafers fortsatt mycket lovande och förväntas ersätta konventionella kiselmaterial i olika tillämpningar.