100 mm 4 tum GaN på Sapphire Epi-layer wafer Galliumnitrid epitaxial wafer

(1) Högtemperaturbakning, safirsubstrat värms först till 1050 ℃ i en väteatmosfär, syftet är att rengöra substratytan;

(2) När substrattemperaturen sjunker till 510 ℃, avsätts ett lågtemperatur GaN/AlN-buffertskikt med en tjocklek av 30 nm på ytan av safirsubstratet;

(3) Temperaturhöjning till 10 ℃, reaktionsgasen ammoniak, trimetylgallium och silan injiceras, respektive kontrollerar motsvarande flödeshastighet, och den kiseldopade N-typ GaN med 4um tjocklek odlas;

(4) Reaktionsgasen av trimetylaluminium och trimetylgallium användes för att framställa kiseldopade N-typ A⒑ kontinenter med en tjocklek av 0,15 um;

(5) 50 nm Zn-dopad InGaN framställdes genom att injicera trimetylgallium, trimetylindium, dietylzink och ammoniak vid en temperatur av 8O0℃ och kontrollera olika flödeshastigheter;

(6) Temperaturen höjdes till 1020 ℃, trimetylaluminium, trimetylgallium och bis(cyklopentadienyl) magnesium injicerades för att framställa 0,15 um Mg dopad P-typ AlGaN och 0,5 um Mg dopat P-typ G blodsocker;

(7) Högkvalitativ P-typ GaN Sibuyan-film erhölls genom glödgning i kväveatmosfär vid 700 ℃;

(8) Etsning på P-typ G-stasisytan för att avslöja N-typ G-stasisytan;

(9) Avdunstning av Ni/Au-kontaktplattor på p-GaNI-yta, förångning av △/Al-kontaktplattor på ll-GaN-yta för att bilda elektroder.