Nyheter
-
Byt värmeavledningsmaterial! Efterfrågan på kiselkarbidsubstrat kommer att explodera!
Innehållsförteckning 1. Flaskhals i värmeavledning i AI-chip och genombrottet för kiselkarbidmaterial 2. Egenskaper och tekniska fördelar med kiselkarbidsubstrat 3. Strategiska planer och samarbetsutveckling av NVIDIA och TSMC 4. Implementeringsväg och viktiga tekniska...Läs mer -
Stort genombrott inom 12-tums kiselkarbidwaferlaserlyftteknik
Innehållsförteckning 1. Stort genombrott inom 12-tums kiselkarbidwaferlaserlyftningsteknik 2. Flera betydelser av det teknologiska genombrottet för SiC-industrins utveckling 3. Framtidsutsikter: XKH:s omfattande utveckling och branschsamarbete Nyligen...Läs mer -
Titel: Vad är FOUP inom chiptillverkning?
Innehållsförteckning 1. Översikt och kärnfunktioner för FOUP 2. Struktur och designfunktioner för FOUP 3. Klassificerings- och tillämpningsriktlinjer för FOUP 4. Funktioner och betydelse av FOUP inom halvledartillverkning 5. Tekniska utmaningar och framtida utvecklingstrender 6. XKH:s kund...Läs mer -
Waferrengöringsteknik inom halvledartillverkning
Waferrengöringsteknik inom halvledartillverkning Waferrengöring är ett kritiskt steg genom hela halvledartillverkningsprocessen och en av de viktigaste faktorerna som direkt påverkar enhetens prestanda och produktionsutbyte. Under chiptillverkning kan även den minsta kontaminering ...Läs mer -
Tekniker för rengöring av skivor och teknisk dokumentation
Innehållsförteckning 1. Huvudmål och vikten av rengöring av wafers 2. Kontamineringsbedömning och avancerade analystekniker 3. Avancerade rengöringsmetoder och tekniska principer 4. Teknisk implementering och processkontroll 5. Framtida trender och innovativa riktningar 6. X...Läs mer -
Nyodlade enkristaller
Enkristaller är sällsynta till sin natur, och även när de förekommer är de vanligtvis mycket små – vanligtvis på millimeterskalan (mm) – och svåra att få tag på. Rapporterade diamanter, smaragder, agater etc. kommer i allmänhet inte ut på marknaden, än mindre i industriella tillämpningar; de flesta visas ...Läs mer -
Den största köparen av högren aluminiumoxid: Hur mycket vet du om safir?
Safirkristaller odlas från högrent aluminiumoxidpulver med en renhet på >99,995 %, vilket gör dem till det området med störst efterfrågan på högrent aluminiumoxid. De uppvisar hög hållfasthet, hög hårdhet och stabila kemiska egenskaper, vilket gör att de kan fungera i tuffa miljöer som höga temperaturer...Läs mer -
Vad betyder TTV, BOW, WARP och TIR i wafers?
När vi undersöker halvledarskiselskivor eller substrat tillverkade av andra material stöter vi ofta på tekniska indikatorer som: TTV, BOW, WARP, och eventuellt TIR, STIR, LTV, bland andra. Vilka parametrar representerar dessa? TTV — Total Thickness Variation BOW — Bow WARP — Warp TIR — ...Läs mer -
Viktiga råvaror för halvledarproduktion: Typer av wafersubstrat
Wafersubstrat som viktiga material i halvledarkomponenter Wafersubstrat är de fysiska bärarna i halvledarkomponenter, och deras materialegenskaper avgör direkt enhetens prestanda, kostnad och tillämpningsområden. Nedan följer huvudtyperna av wafersubstrat tillsammans med deras fördelar...Läs mer -
Högprecisionslaserskärningsutrustning för 8-tums SiC-skivor: Kärntekniken för framtida SiC-skivorbearbetning
Kiselkarbid (SiC) är inte bara en kritisk teknik för nationellt försvar utan också ett centralt material för globala fordons- och energiindustrin. Som det första kritiska steget i SiC-enkristallbearbetning avgör skivning av skivor direkt kvaliteten på efterföljande uttunning och polering. Tr...Läs mer -
AR-glasögon av optisk kvalitet av kiselkarbidvågledarteknik: Framställning av halvisolerande substrat med hög renhet
Mot bakgrund av AI-revolutionen blir AR-glasögon gradvis alltmer allmänt kända. Som ett paradigm som sömlöst blandar virtuella och verkliga världar skiljer sig AR-glasögon från VR-enheter genom att låta användare uppfatta både digitalt projicerade bilder och omgivande ljus samtidigt...Läs mer -
Heteroepitaxial tillväxt av 3C-SiC på kiselsubstrat med olika orienteringar
1. Introduktion Trots årtionden av forskning har heteroepitaxial 3C-SiC som odlats på kiselsubstrat ännu inte uppnått tillräcklig kristallkvalitet för industriella elektroniska tillämpningar. Tillväxten utförs vanligtvis på Si(100)- eller Si(111)-substrat, vilka vart och ett medför tydliga utmaningar: antifas ...Läs mer