SiC keramisk trågplatta i grafit med CVD SiC-beläggning för utrustning

Kiselkarbidkeramik används inte bara i tunnfilmsavsättningssteget, såsom epitaxi eller MOCVD, eller vid waferbearbetning, där waferbärartrågen för MOCVD först utsätts för avsättningsmiljön, och är därför mycket motståndskraftiga mot värme och korrosion. SiC-belagda bärare har också hög värmeledningsförmåga och utmärkta värmefördelningsegenskaper.

Ren kemisk ångdeponering av kiselkarbid (CVD SiC)-skivor för högtemperaturbehandling av metallorganisk kemisk ångdeponering (MOCVD).

Rena CVD SiC-skivorbärare är betydligt överlägsna de konventionella skivbärarna som används i denna process, vilka är grafitbelagda med ett lager CVD SiC. Dessa belagda grafitbaserade bärare klarar inte de höga temperaturer (1100 till 1200 grader Celsius) som krävs för GaN-deponering av dagens högljussta blå och vita LED. De höga temperaturerna gör att beläggningen utvecklar små porer genom vilka processkemikalier eroderar grafiten under. Grafitpartiklarna flagnar sedan av och förorenar GaN, vilket gör att den belagda skivbäraren måste bytas ut.

CVD SiC har en renhet på 99,999 % eller mer och har hög värmeledningsförmåga och termisk chockbeständighet. Därför kan den motstå de höga temperaturerna och de tuffa miljöerna vid tillverkning av högljusstarka LED-belysningar. Det är ett solidt monolitiskt material som når teoretisk densitet, producerar minimala partiklar och uppvisar mycket hög korrosions- och erosionsbeständighet. Materialet kan ändra opacitet och konduktivitet utan att introducera metalliska föroreningar. Waferbärare är vanligtvis 17 tum i diameter och kan hålla upp till 40 stycken 2-4 tums wafers.