SiC keramisk brickplatta grafit med CVD SiC-beläggning för utrustning

Kiselkarbidkeramik används inte bara i tunnfilmsavsättningsstadiet, såsom epitaxi eller MOCVD, eller i waferbearbetning, i vilken kärnan av waferbärarbrickorna för MOCVD först utsätts för deponeringsmiljön, och är därför mycket motståndskraftiga mot värme och korrosion.SiC-belagda bärare har också hög värmeledningsförmåga och utmärkta värmefördelningsegenskaper.

Pure Chemical Vapor Deposition Silicon Carbide (CVD SiC) waferbärare för högtemperaturbearbetning av metallorganisk kemisk ångavsättning (MOCVD).

Ren CVD SiC waferbärare är betydligt överlägsna de konventionella waferbärare som används i denna process, som är grafit och belagda med ett lager av CVD SiC. dessa belagda grafitbaserade bärare kan inte motstå de höga temperaturer (1100 till 1200 grader Celsius) som krävs för GaN-avsättning av dagens blå och vita led med hög ljusstyrka. De höga temperaturerna gör att beläggningen utvecklar små hål genom vilka processkemikalier eroderar grafiten under. Grafitpartiklarna flagnar sedan av och förorenar GaN, vilket gör att den belagda waferbäraren byts ut.

CVD SiC har en renhet på 99,999 % eller mer och har hög värmeledningsförmåga och motståndskraft mot värmechock. Därför kan den motstå de höga temperaturerna och de tuffa miljöerna för LED-tillverkning med hög ljusstyrka. Det är ett solidt monolitiskt material som når teoretisk densitet, producerar minimala partiklar och uppvisar mycket hög korrosions- och erosionsbeständighet. Materialet kan ändra opacitet och konduktivitet utan att införa metalliska föroreningar. Waferbärare är vanligtvis 17 tum i diameter och kan rymma upp till 40 2-4 tums wafers.