N-typ SiC på Si-kompositsubstrat Dia6 tum

等级Kvalitet

Du 级

P级

D级

Låg BPD-grad

Produktionsklass

Dummy-klass

直径Diameter

150,0 mm ± 0,25 mm

厚度Tjocklek

500 μm ± 25 μm

晶片方向Waferorientering

Utanför axeln: 4,0° mot < 11–20 > ±0,5° för 4H-N På axeln: < 0001 > ±0,5° för 4H-SI

主定位边方向Primärlägenhet

{10-10}±5,0°

主定位边长度Primär plan längd

47,5 mm±2,5 mm

边缘Kantuslutning

3 mm

总厚度变化/弯曲度/翘曲度 TTV/Bow /Warp

≤15 μm / ≤40 μm / ≤60 μm

微管密度和基面位错MPD och BPD

MPD≤1 cm⁻²

MPD≤5 cm-2

MPD≤15 cm-2

BPD≤1000cm-2

电阻率Resistivitet

≥1E5 Ω·cm

表面粗糙度Grovhet

Polsk Ra≤1 nm

CMP Ra≤0,5 nm

裂纹(强光灯观测) #

Ingen

Kumulativ längd ≤10 mm, enkel längd ≤2 mm

Sprickor av högintensivt ljus

六方空洞（强光灯观测）*

Kumulativ area ≤1%

Kumulativ area ≤5%

Hexplattor med högintensivt ljus

多型(强光灯观测)*

Ingen

Kumulativ area ≤5%

Polytypområden med högintensivt ljus

划痕(强光灯观测)*&

3 repor på 1×waferdiameter

5 repor på 1×waferdiameter

Repor av högintensivt ljus

kumulativ längd

kumulativ längd

崩边# Kantchip

Ingen

5 tillåtna, ≤1 mm vardera

表面污染物（强光灯观测）

Ingen

Kontaminering av högintensivt ljus