N-typ SiC på Si-kompositsubstrat Dia6tum
| 等级Kvalitet | Du 级 | P级 | D级 |
| Låg BPD-grad | Produktionsklass | Dummy Betyg | |
| 直径Diameter | 150,0 mm±0,25 mm | ||
| 厚度Tjocklek | 500 μm±25μm | ||
| 晶片方向Wafer orientering | Av axel : 4,0° mot < 11-20 > ±0,5° för 4H-N På axel : <0001>±0,5° för 4H-SI | ||
| 主定位边方向Primär lägenhet | {10-10}±5,0° | ||
| 主定位边长度Primär platt längd | 47,5 mm±2,5 mm | ||
| 边缘Kantuteslutning | 3 mm | ||
| 总厚度变化/弯曲度/翘曲度 TTV/Bow /Warp | ≤15μm /≤40μm /≤60μm | ||
| 微管密度和基面位错MPD&BPD | MPD≤1 cm-2 | MPD≤5 cm-2 | MPD≤15 cm-2 |
| BPD≤1000cm-2 | |||
| 电阻率Resistivitet | ≥1E5 Ω·cm | ||
| 表面粗糙度Grovhet | Polsk Ra≤1 nm | ||
| CMP Ra≤0,5 nm | |||
| 裂纹(强光灯观测) # | Ingen | Kumulativ längd ≤10 mm, enkel längd≤2 mm | |
| Sprickor av högintensivt ljus | |||
| 六方空洞（强光灯观测）* | Kumulativ yta ≤1 % | Kumulativ yta ≤5 % | |
| Hexplattor av högintensivt ljus | |||
| 多型(强光灯观测)* | Ingen | Kumulativ yta≤5 % | |
| Polytypytor med högintensivt ljus | |||
| 划痕(强光灯观测)*& | 3 repor till 1×wafer diameter | 5 repor till 1×wafer diameter | |
| Repor av högintensivt ljus | kumulativ längd | kumulativ längd | |
| 崩边# Kantchip | Ingen | 5 tillåtna, ≤1 mm vardera | |
| 表面污染物（强光灯观测） | Ingen | ||
| Kontaminering av högintensivt ljus | |||
Detaljerat diagram
