Galliumnitrid (GaN) epitaxiell odlad på safirskivor 4 tum 6 tum för MEMS
Egenskaper för GaN på Sapphire Wafers
●Hög effektivitet:GaN-baserade enheter ger fem gånger mer kraft än kiselbaserade enheter, vilket förbättrar prestandan i olika elektroniska applikationer, inklusive RF-förstärkning och optoelektronik.
●Brett bandgap:GaNs breda bandgap möjliggör hög effektivitet vid förhöjda temperaturer, vilket gör den idealisk för applikationer med hög effekt och hög frekvens.
● Hållbarhet:GaN:s förmåga att hantera extrema förhållanden (höga temperaturer och strålning) säkerställer långvarig prestanda i tuffa miljöer.
●Liten storlek:GaN möjliggör produktion av mer kompakta och lätta enheter jämfört med traditionella halvledarmaterial, vilket möjliggör mindre och kraftfullare elektronik.
Abstrakt
Galliumnitrid (GaN) håller på att dyka upp som halvledaren för avancerade applikationer som kräver hög effekt och effektivitet, såsom RF-frontmoduler, höghastighetskommunikationssystem och LED-belysning. GaN epitaxiella wafers, när de odlas på safirsubstrat, erbjuder en kombination av hög värmeledningsförmåga, hög genombrottsspänning och bred frekvensrespons, vilket är nyckeln för optimal prestanda i trådlösa kommunikationsenheter, radarer och störsändare. Dessa wafers finns i både 4-tums och 6-tums diameter, med varierande GaN-tjocklek för att möta olika tekniska krav. GaNs unika egenskaper gör den till en främsta kandidat för framtidens kraftelektronik.
Produktparametrar
| Produktfunktion | Specifikation |
| Wafer Diameter | 50 mm, 100 mm, 50,8 mm |
| Substrat | Safir |
| GaN lagertjocklek | 0,5 μm - 10 μm |
| GaN Typ/Doping | N-typ (P-typ tillgänglig på begäran) |
| GaN Kristallorientering | <0001> |
| Typ av polering | Enkelsidig polerad (SSP), dubbelsidig polerad (DSP) |
| Al2O3 Tjocklek | 430 μm - 650 μm |
| TTV (Total Thickness Variation) | ≤ 10 μm |
| Rosett | ≤ 10 μm |
| Varp | ≤ 10 μm |
| Ytarea | Användbar yta > 90 % |
Frågor och svar
F1: Vilka är de viktigaste fördelarna med att använda GaN jämfört med traditionella kiselbaserade halvledare?
A1: GaN erbjuder flera betydande fördelar jämfört med kisel, inklusive ett bredare bandgap, vilket gör att det kan hantera högre genombrottsspänningar och arbeta effektivt vid högre temperaturer. Detta gör GaN idealiskt för applikationer med hög effekt och hög frekvens som RF-moduler, effektförstärkare och lysdioder. GaN:s förmåga att hantera högre effekttätheter möjliggör också mindre och effektivare enheter jämfört med kiselbaserade alternativ.
F2: Kan GaN på Sapphire wafers användas i MEMS-tillämpningar (Micro-Electro-Mechanical Systems)?
A2: Ja, GaN on Sapphire wafers är lämplig för MEMS-applikationer, speciellt där hög effekt, temperaturstabilitet och lågt brus krävs. Materialets hållbarhet och effektivitet i högfrekventa miljöer gör det idealiskt för MEMS-enheter som används i trådlös kommunikation, avkänning och radarsystem.
F3: Vilka är de potentiella tillämpningarna av GaN i trådlös kommunikation?
A3: GaN används ofta i RF front-end-moduler för trådlös kommunikation, inklusive 5G-infrastruktur, radarsystem och störsändare. Dess höga effekttäthet och värmeledningsförmåga gör den perfekt för högeffekts- och högfrekventa enheter, vilket möjliggör bättre prestanda och mindre formfaktorer jämfört med kiselbaserade lösningar.
F4: Vilka är ledtiderna och lägsta beställningskvantiteter för GaN på Sapphire wafers?
A4: Ledtider och minsta beställningskvantitet varierar beroende på waferstorlek, GaN-tjocklek och specifika kundkrav. Vänligen kontakta oss direkt för detaljerade priser och tillgänglighet baserat på dina specifikationer.
F5: Kan jag få anpassad GaN-skikttjocklek eller dopningsnivåer?
A5: Ja, vi erbjuder anpassning av GaN-tjocklek och dopningsnivåer för att möta specifika applikationsbehov. Vänligen meddela oss dina önskade specifikationer, så kommer vi att tillhandahålla en skräddarsydd lösning.
Detaljerat diagram
