Galliumnitrid (GaN) epitaxial odlad på safirskivor 4 tum 6 tum för MEMS
Egenskaper hos GaN på safirskivor
● Hög effektivitet:GaN-baserade enheter ger fem gånger mer effekt än kiselbaserade enheter, vilket förbättrar prestandan i olika elektroniska applikationer, inklusive RF-förstärkning och optoelektronik.
●Brett bandgap:GaN:s breda bandgap möjliggör hög effektivitet vid förhöjda temperaturer, vilket gör den idealisk för högeffekts- och högfrekvensapplikationer.
●Hållbarhet:GaNs förmåga att hantera extrema förhållanden (höga temperaturer och strålning) säkerställer långvarig prestanda i tuffa miljöer.
●Liten storlek:GaN möjliggör produktion av mer kompakta och lätta komponenter jämfört med traditionella halvledarmaterial, vilket underlättar mindre och kraftfullare elektronik.
Abstrakt
Galliumnitrid (GaN) framstår som den självklara valet för avancerade tillämpningar som kräver hög effekt och effektivitet, såsom RF-frontend-moduler, höghastighetskommunikationssystem och LED-belysning. GaN-epitaxialwafers, när de odlas på safirsubstrat, erbjuder en kombination av hög värmeledningsförmåga, hög genombrottsspänning och brett frekvenssvar, vilket är avgörande för optimal prestanda i trådlösa kommunikationsenheter, radar och störsändare. Dessa wafers finns i både 4-tums och 6-tums diameter, med varierande GaN-tjocklekar för att möta olika tekniska krav. GaNs unika egenskaper gör den till en utmärkt kandidat för framtidens kraftelektronik.
Produktparametrar
| Produktfunktion | Specifikation |
| Waferdiameter | 50 mm, 100 mm, 50,8 mm |
| Substrat | Safir |
| GaN-skikttjocklek | 0,5 μm - 10 μm |
| GaN-typ/dopning | N-typ (P-typ tillgänglig på begäran) |
| GaN-kristallorientering | <0001> |
| Poleringstyp | Enkelsidigt polerad (SSP), dubbelsidigt polerad (DSP) |
| Al2O3 Tjocklek | 430 μm–650 μm |
| TTV (Total tjockleksvariation) | ≤ 10 μm |
| Rosett | ≤ 10 μm |
| Varp | ≤ 10 μm |
| Yta | Användbar yta > 90 % |
Frågor och svar
F1: Vilka är de viktigaste fördelarna med att använda GaN jämfört med traditionella kiselbaserade halvledare?
A1GaN erbjuder flera betydande fördelar jämfört med kisel, inklusive ett bredare bandgap, vilket gör att det kan hantera högre genombrottsspänningar och fungera effektivt vid högre temperaturer. Detta gör GaN idealiskt för högfrekventa applikationer med hög effekt, som RF-moduler, effektförstärkare och lysdioder. GaNs förmåga att hantera högre effekttätheter möjliggör också mindre och effektivare enheter jämfört med kiselbaserade alternativ.
F2: Kan GaN på safirskivor användas i MEMS-applikationer (mikroelektromekaniska system)?
A2Ja, GaN på safirskivor är lämpliga för MEMS-applikationer, särskilt där hög effekt, temperaturstabilitet och lågt brus krävs. Materialets hållbarhet och effektivitet i högfrekventa miljöer gör det idealiskt för MEMS-enheter som används i trådlös kommunikation, sensorer och radarsystem.
F3: Vilka är de potentiella tillämpningarna av GaN inom trådlös kommunikation?
A3GaN används ofta i RF-frontend-moduler för trådlös kommunikation, inklusive 5G-infrastruktur, radarsystem och jammers. Dess höga effekttäthet och värmeledningsförmåga gör den perfekt för högfrekventa enheter med hög effekt, vilket möjliggör bättre prestanda och mindre formfaktorer jämfört med kiselbaserade lösningar.
F4: Vilka är ledtiderna och minsta orderkvantiteterna för GaN på Sapphire-wafers?
A4Ledtider och minsta orderkvantiteter varierar beroende på waferstorlek, GaN-tjocklek och specifika kundkrav. Kontakta oss direkt för detaljerad prissättning och tillgänglighet baserat på dina specifikationer.
F5: Kan jag få anpassad GaN-lagertjocklek eller dopningsnivåer?
A5Ja, vi erbjuder anpassning av GaN-tjocklek och dopningsnivåer för att möta specifika applikationsbehov. Vänligen meddela oss dina önskade specifikationer så tillhandahåller vi en skräddarsydd lösning.
Detaljerat diagram
