GaAs laser epitaxial wafer 4 tum 6 tum VCSEL vertikal kavitets yta emission laser våglängd 940nm enkel junction
Huvudegenskaperna hos GaAs laserepitaxiella ark inkluderar
1. Enkelkorsningsstruktur: Denna laser är vanligtvis sammansatt av en enda kvantbrunn, som kan ge effektiv ljusemission.
2. Våglängd: Våglängden på 940 nm gör den i det infraröda spektrumområdet, lämplig för en mängd olika applikationer.
3. Hög effektivitet: Jämfört med andra typer av lasrar har VCSEL en hög elektro-optisk omvandlingseffektivitet.
4. Kompakthet: VCSEL-paketet är relativt litet och lätt att integrera.
5. Låg tröskelström och hög effektivitet: Nedgrävda heterostrukturlasrar uppvisar extremt låg strömtäthet för lasertröskel (t.ex. 4mA/cm²) och hög extern differentiell kvantverkningsgrad (t.ex. 36%), med linjär uteffekt som överstiger 15mW.
6. Vågledarlägesstabilitet: Den begravda heterostrukturlasern har fördelen av vågledarlägesstabilitet på grund av dess brytningsindexstyrda vågledarmekanism och smala aktiva bandbredd (ca 2μm).
7. Utmärkt fotoelektrisk omvandlingseffektivitet: Genom att optimera den epitaxiella tillväxtprocessen kan hög intern kvanteffektivitet och fotoelektrisk omvandlingseffektivitet erhållas för att minska intern förlust.
8. Hög tillförlitlighet och livslängd: högkvalitativ epitaxiell tillväxtteknologi kan förbereda epitaxiella ark med bra ytutseende och låg defektdensitet, vilket förbättrar produktens tillförlitlighet och livslängd.
9. Lämplig för en mängd olika applikationer: GAAS-baserad laserdiod epitaxialplåt används ofta inom optisk fiberkommunikation, industriella applikationer, infraröd och fotodetektorer och andra områden.
De huvudsakliga tillämpningssätten för GaAs laserepitaxiella ark inkluderar
1. Optisk kommunikation och datakommunikation: GaAs epitaxiella wafers används i stor utsträckning inom området optisk kommunikation, särskilt i höghastighetsoptiska kommunikationssystem, för tillverkning av optoelektroniska enheter såsom lasrar och detektorer.
2. Industriella applikationer: GaAs laserepitaxiella ark har också viktiga användningsområden i industriella applikationer, såsom laserbearbetning, mätning och avkänning.
3. Konsumentelektronik: Inom hemelektronik används GaAs epitaxiella wafers för att tillverka VCsels (vertical cavity ytemitterande lasrar), som används i stor utsträckning i smartphones och annan hemelektronik.
4. Rf-tillämpningar: GaAs-material har betydande fördelar inom RF-området och används för att tillverka högpresterande RF-enheter.
5. Kvantpunktslasrar: GAAS-baserade kvantpunktslasrar används i stor utsträckning inom kommunikation, medicinska och militära områden, särskilt i det optiska kommunikationsbandet på 1,31 µm.
6. Passiv Q-omkopplare: GaAs-absorbatorn används för diodpumpade halvledarlasrar med passiv Q-omkopplare, som är lämplig för mikrobearbetning, avståndsmätning och mikrokirurgi.
Dessa applikationer visar potentialen hos GaAs laserepitaxialwafers i ett brett utbud av högteknologiska applikationer.
XKH erbjuder GaAs epitaxiella wafers med olika strukturer och tjocklekar skräddarsydda efter kundens krav, som täcker ett brett spektrum av applikationer såsom VCSEL/HCSEL, WLAN, 4G/5G basstationer, etc. XKH:s produkter tillverkas med hjälp av avancerad MOCVD-utrustning för att säkerställa hög prestanda och pålitlighet. Logistikmässigt har vi ett brett utbud av internationella källkanaler, kan flexibelt hantera antalet beställningar och tillhandahåller mervärdestjänster som gallring, segmentering etc. Effektiva leveransprocesser säkerställer leverans i tid och möter kundernas krav för kvalitet och leveranstider. Efter ankomst kan kunderna få omfattande teknisk support och kundservice för att säkerställa att produkten tas i bruk smidigt.
Detaljerat diagram
