GaAs-laser epitaxial wafer 4 tum 6 tum VCSEL vertikal kavitet ytemissionslaservåglängd 940 nm enkel övergång
De viktigaste egenskaperna hos GaAs-laserepitaxialplåt inkluderar
1. Enkelövergångsstruktur: Denna laser består vanligtvis av en enda kvantbrunn, som kan ge effektiv ljusemission.
2. Våglängd: Våglängden på 940 nm gör den inom det infraröda spektrumområdet, lämplig för en mängd olika tillämpningar.
3. Hög effektivitet: Jämfört med andra typer av lasrar har VCSEL en hög elektrooptisk omvandlingseffektivitet.
4. Kompakthet: VCSEL-paketet är relativt litet och enkelt att integrera.
5. Låg tröskelström och hög effektivitet: Nedgrävda heterostrukturlasrar uppvisar extremt låg lasertröskelströmtäthet (t.ex. 4 mA/cm²) och hög extern differentiell kvanteffektivitet (t.ex. 36 %), med en linjär uteffekt som överstiger 15 mW.
6. Vågledarlägesstabilitet: Den nedgrävda heterostrukturlasern har fördelen av vågledarlägesstabilitet på grund av dess brytningsindexstyrda vågledarmekanism och smala aktiva remsbredd (cirka 2 μm).
7. Utmärkt fotoelektrisk omvandlingseffektivitet: Genom att optimera den epitaxiella tillväxtprocessen kan hög intern kvanteffektivitet och fotoelektrisk omvandlingseffektivitet erhållas för att minska intern förlust.
8. Hög tillförlitlighet och livslängd: högkvalitativ epitaxiell tillväxtteknik kan framställa epitaxiella ark med bra ytutseende och låg defektdensitet, vilket förbättrar produktens tillförlitlighet och livslängd.
9. Lämplig för en mängd olika tillämpningar: GAAS-baserad epitaxialplåt för laserdioder används ofta inom optisk fiberkommunikation, industriella tillämpningar, infraröda och fotodetektorer och andra områden.
De huvudsakliga tillämpningarna för GaAs-laserepitaxialplåt inkluderar
1. Optisk kommunikation och datakommunikation: GaAs epitaxiella wafers används ofta inom optisk kommunikation, särskilt i höghastighetsoptiska kommunikationssystem, för tillverkning av optoelektroniska enheter som lasrar och detektorer.
2. Industriella tillämpningar: GaAs-laserepitaxialplattor har också viktiga användningsområden inom industriella tillämpningar, såsom laserbearbetning, mätning och avkänning.
3. Konsumentelektronik: Inom konsumentelektronik används GaAs epitaxiala wafers för att tillverka VC-er (vertikal kavitets-ytsemitterande lasrar), vilka används flitigt i smartphones och annan konsumentelektronik.
4. RF-tillämpningar: GaAs-material har betydande fördelar inom RF-området och används för att tillverka högpresterande RF-enheter.
5. Kvantpunktlasrar: GAAS-baserade kvantpunktlasrar används ofta inom kommunikation, medicin och militära områden, särskilt i det optiska kommunikationsbandet 1,31 µm.
6. Passiv Q-brytare: GaAs-absorbatorn används för diodpumpade fasta tillståndslasrar med passiv Q-brytare, vilket är lämpligt för mikrobearbetning, avståndsmätning och mikrokirurgi.
Dessa tillämpningar visar potentialen hos GaAs-laser-epitaxialwafers inom ett brett spektrum av högteknologiska tillämpningar.
XKH erbjuder GaAs epitaxiala wafers med olika strukturer och tjocklekar skräddarsydda efter kundens krav, och täcker ett brett spektrum av applikationer som VCSEL/HCSEL, WLAN, 4G/5G-basstationer etc. XKH:s produkter tillverkas med avancerad MOCVD-utrustning för att säkerställa hög prestanda och tillförlitlighet. Logistikmässigt har vi ett brett utbud av internationella källkanaler, kan flexibelt hantera antalet beställningar och erbjuder mervärdestjänster som gallring, segmentering etc. Effektiva leveransprocesser säkerställer leverans i tid och uppfyller kundernas krav på kvalitet och leveranstider. Efter ankomst kan kunderna få omfattande teknisk support och eftermarknadsservice för att säkerställa att produkten tas i bruk smidigt.
Detaljerat diagram
