4 tum Sapphire Wafer C-Plane SSP/DSP 0,43 mm 0,65 mm
Ansökningar
● Tillväxtsubstrat för III-V och II-VI föreningar.
● Elektronik och optoelektronik.
● IR-applikationer.
● Silicon On Sapphire Integrated Circuit (SOS).
● Radio Frequency Integrated Circuit (RFIC).
I LED-produktion används safirskivor som ett substrat för tillväxten av galliumnitrid (GaN) kristaller, som avger ljus när en elektrisk ström appliceras. Safir är ett idealiskt substratmaterial för GaN-tillväxt eftersom det har en liknande kristallstruktur och termisk expansionskoefficient som GaN, vilket minimerar defekter och förbättrar kristallkvaliteten.
Inom optiken används safirskivor som fönster och linser i högtrycks- och högtemperaturmiljöer, såväl som i infraröda bildsystem, på grund av deras höga transparens och hårdhet.
Specifikation
| Punkt | 4-tums C-plane(0001) 650μm safirskivor | |
| Kristallmaterial | 99 999 %, hög renhet, monokristallint Al2O3 | |
| Kvalitet | Prime, Epi-Ready | |
| Ytorientering | C-plan (0001) | |
| C-planets avvikelsevinkel mot M-axeln 0,2 +/- 0,1° | ||
| Diameter | 100,0 mm +/- 0,1 mm | |
| Tjocklek | 650 μm +/- 25 μm | |
| Primär platt orientering | A-plan (11-20) +/- 0,2° | |
| Primär platt längd | 30,0 mm +/- 1,0 mm | |
| Enkelsidig polerad | Framsida | Epi-polerad, Ra < 0,2 nm (av AFM) |
| (SSP) | Baksida | Finslipad, Ra = 0,8 μm till 1,2 μm |
| Dubbelsidig polerad | Framsida | Epi-polerad, Ra < 0,2 nm (av AFM) |
| (DSP) | Baksida | Epi-polerad, Ra < 0,2 nm (av AFM) |
| TTV | < 20 μm | |
| ROSETT | < 20 μm | |
| VARP | < 20 μm | |
| Rengöring / Förpackning | Klass 100 renrumsrengöring och vakuumförpackning, | |
| 25 stycken i en kassettförpackning eller enstycksförpackning. | ||
Packning & Frakt
Generellt sett tillhandahåller vi paketet med 25 st kassettlåda; vi kan också packa med en enkel wafer-behållare under 100-klass städrum enligt kundens krav.
Detaljerat diagram
