3 tum 76,2 mm 4H-Semi SiC substratskiva kiselkarbid Halvförolämpande SiC-skivor

3 tum 76,2 mm 4H-Semi SiC substratwafer Kiselkarbid Halvförolämpande SiC-wafers Utvald bild

Kort beskrivning:

Högkvalitativ enkristall SiC-wafer (kiselkarbid) till elektronisk och optoelektronisk industri. 3-tums SiC-skiva är nästa generations halvledarmaterial, halvisolerande kiselkarbidskivor med 3-tums diameter. Skivorna är avsedda för tillverkning av kraft-, RF- och optoelektronikenheter.

Skicka e-post till oss

Produktdetaljer

Produkttaggar

Beskrivning

3-tums 4H halvisolerade SiC (kiselkarbid) substratskivor är ett vanligt använt halvledarmaterial. 4H indikerar en tetrahexaedrisk kristallstruktur. Halvisolering innebär att substratet har höga resistansegenskaper och kan vara något isolerat från strömflödet.

Sådana substratskivor har följande egenskaper: hög värmeledningsförmåga, låg ledningsförlust, utmärkt högtemperaturbeständighet och utmärkt mekanisk och kemisk stabilitet. Eftersom kiselkarbid har ett brett energigap och tål höga temperaturer och höga elektriska fältförhållanden, används 4H-SiC halvisolerade wafers i stor utsträckning i kraftelektronik och radiofrekvensenheter (RF).

Huvudapplikationerna för 4H-SiC halvisolerade wafers inkluderar:

1--Strömelektronik: 4H-SiC-skivor kan användas för att tillverka strömbrytare såsom MOSFETs (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor), IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistors) och Schottky-dioder. Dessa enheter har lägre lednings- och omkopplingsförluster i högspännings- och högtemperaturmiljöer och erbjuder högre effektivitet och tillförlitlighet.

2--Radio Frequency (RF)-enheter: 4H-SiC halvisolerade wafers kan användas för att tillverka högeffekts, högfrekventa RF-effektförstärkare, chipmotstånd, filter och andra enheter. Kiselkarbid har bättre högfrekvensprestanda och termisk stabilitet på grund av dess högre elektronmättnadsdrifthastighet och högre värmeledningsförmåga.

3--Optoelektroniska enheter: 4H-SiC halvisolerade wafers kan användas för att tillverka laserdioder med hög effekt, UV-ljusdetektorer och optoelektroniska integrerade kretsar.

När det gäller marknadsriktning ökar efterfrågan på 4H-SiC halvisolerade wafers med de växande områdena kraftelektronik, RF och optoelektronik. Detta beror på att kiselkarbid har ett brett användningsområde, inklusive energieffektivitet, elfordon, förnybar energi och kommunikation. I framtiden är marknaden för 4H-SiC halvisolerade wafers fortfarande mycket lovande och förväntas ersätta konventionella kiselmaterial i olika applikationer.