2 tums kiselkarbidskivor 6H eller 4H N-typ eller halvisolerande SiC-substrat

4H SiC wafer N-typ
Diameter: 2 tum 50,8 mm | 4 tum 100 mm | 6 tum 150 mm
Orientering: utanför axeln 4,0˚ mot <1120> ± 0,5˚
Resistivitet: < 0,1 ohm.cm
Grovhet: Si-face CMP Ra <0,5nm, C-face optisk polish Ra <1 nm

4H SiC wafer Halvisolerande
Diameter: 2 tum 50,8 mm | 4 tum 100 mm | 6 tum 150 mm
Orientering: på axeln {0001} ± 0,25˚
Resistivitet: >1E5 ohm.cm
Grovhet: Si-face CMP Ra <0,5nm, C-face optisk polish Ra <1 nm

1. 5G-infrastruktur -- kommunikationsströmförsörjning.
Kommunikationsströmförsörjning är energibasen för server- och basstationskommunikation. Det tillhandahåller elektrisk energi för olika överföringsutrustning för att säkerställa normal drift av kommunikationssystemet.

2. Laddningshög av nya energifordon -- kraftmodul av laddhög.
Den höga effektiviteten och höga effekten hos laddningshögens kraftmodul kan realiseras genom att använda kiselkarbid i laddningshögens kraftmodul, för att förbättra laddningshastigheten och minska laddningskostnaden.

3. Stort datacenter, industriellt internet -- serverströmförsörjning.
Serverns strömförsörjning är serverns energibibliotek. Servern tillhandahåller ström för att säkerställa normal drift av serversystemet. Användningen av kraftkomponenter av kiselkarbid i serverns strömförsörjning kan förbättra strömtätheten och effektiviteten hos serverns strömförsörjning, minska volymen på datacentret på det hela taget, minska den totala byggkostnaden för datacentret och uppnå högre miljö effektivitet.

4. Uhv - Tillämpning av flexibla transmissionslikströmsbrytare.

5. Intercity höghastighetståg och intercity järnväg transitering -- dragkraftsomvandlare, kraftelektroniska transformatorer, hjälpomvandlare, extra strömförsörjning.