2-tums kiselkarbidskivor 6H eller 4H N-typ eller halvisolerande SiC-substrat

4H SiC-skiva av N-typ
Diameter: 2 tum 50,8 mm | 4 tum 100 mm | 6 tum 150 mm
Orientering: utanför axeln 4,0˚ mot <1120> ± 0,5˚
Resistivitet: < 0,1 ohm.cm
Ojämnhet: Si-yta CMP Ra <0,5 nm, C-yta optisk polering Ra <1 nm

4H SiC-skiva Halvisolerande
Diameter: 2 tum 50,8 mm | 4 tum 100 mm | 6 tum 150 mm
Orientering: på axel {0001} ± 0,25˚
Resistivitet: >1E5 ohm.cm
Ojämnhet: Si-yta CMP Ra <0,5 nm, C-yta optisk polering Ra <1 nm

1. 5G-infrastruktur -- kommunikationsströmförsörjning.
Kommunikationsströmförsörjningen är energibasen för server- och basstationskommunikation. Den förser olika överföringsutrustningar med elektrisk energi för att säkerställa kommunikationssystemets normala drift.

2. Laddningshög för nya energifordon -- laddningshögens kraftmodul.
Laddningsmodulens höga effektivitet och höga effekt kan uppnås genom att använda kiselkarbid i laddningsmodulen, för att förbättra laddningshastigheten och minska laddningskostnaden.

3. Stort datacenter, industriellt internet -- serverströmförsörjning.
Serverns strömförsörjning är serverns energibibliotek. Servern tillhandahåller ström för att säkerställa serversystemets normala drift. Användningen av kiselkarbidkomponenter i serverns strömförsörjning kan förbättra serverns strömtäthet och effektivitet, minska datacentrets volym som helhet, sänka datacentrets totala byggkostnad och uppnå högre miljöeffektivitet.

4. Uhv - Tillämpning av flexibla transmissionsbrytare för likström.

5. Intercity höghastighetståg och intercity järnvägstransport -- dragkraftsomvandlare, kraftelektroniska transformatorer, hjälpomvandlare, hjälpströmförsörjning.